Корпорация Intel представила создававшуюся 10 лет в сотрудничестве с компанией Micron Technology Inc. энергонезависимую память 3D Xpoint, которая в тысячу раз быстрее, устойчивее по сроку службы, и имеет в десять раз более высокую плотность размещения компонентов по сравнению с чипами, выполненными по существующей технологии, сообщает "Российская газета".

Изобретение назвали "прорывом" в процессе компьютерной памяти с момента появления технологии NAND Flash в 1989 году.

Подробности механизма работы держатся в секрете. Разработчики лишь заявили, что инновационная память основана на перекрестной архитектуре - своего рода трехмерной "шахматной доске", где блоки памяти находятся на пересечении числовых и разрядных линий. Такое построение дает возможность "адресно" обращаться к необходимой ячейке, что обеспечивает более быстрый и эффективный процесс чтения и записи данных.

Для примера, скорость обращения процессора к блокам памяти в жестких дисках и NAND Flash измеряется в микросекундах (одна миллионная доля секунды), а в 3D Xpoint - в наносекундах (одна миллиардная доля секунды).

По словам вице-президента Intel Роба Крука, новый вид памяти позволяет решить одну из самых насущных для различных производителей проблем по увеличению скорости работы систем хранения данных.

Президент Micron Марк Адамс заявил, что 3D Xpoint значительно упростит работу торговых площадок, научных деятелей, которые смогут в режиме реального времени обрабатывать огромное число сведений, ускоряя тем самым решение сложных задач из разряда генетического анализа и т.п. Почувствуют "революционность" технологии и обычные пользователи: новая память усилит интерактивность социальных медиа и наверняка даст новый импульс в разработке видеоигр.

Первые образцы памяти 3D XPoint планируется поставить нескольким заказчикам для теста уже в этом году. Кроме того, Intel и Micron намерены в 2016-м году выпустить собственные продукты с этой технологией.

Тимур Алимов