Корпорация Intel в ходе ежегодной конференции для разработчиков IDF 2015 представила новую технологию энергонезависимой памяти под названием 3D XPoint, созданную в сотрудничестве с компанией Micron.

Как пишет портал THG, память 3D XPoint позволяет создать новую категорию устройств хранения данных впервые со времен выхода на рынок флеш-памяти NAND в 1989 году. При этом технология 3D XPoint обеспечивает в тысячу раз более высокую скорость обмена данными с памятью по сравнению со стандартом NAND.

Новая технология объединяет в себе преимущества существующих на рынке технологий производства памяти: она отличается высокой производительностью и плотностью размещения компонентов, низким энергопотреблением и доступной ценой.

В ходе презентации генеральный директор корпорации Intel Брайан Кржанич продемонстрировал сравнительный тест раннего прототипа новой памяти и производительной модели SSD DC P3700. Скорость работы прототипа в операциях чтения и записи оказалась в пять-семь раз выше, чем у SSD DC P3700.

Интернет-издание Ferra отмечает, что новая память займет место между NAND и DRAM (основа оперативной памяти) - до скорости последней новая разработка не дотягивает, но при этом энергонезависима. По мнению Кржанича, полностью раскрыть возможности 3D Xpoint можно, только изменив архитектуру компьютеров и операционных систем.

Ожидается, что носители, основанные на технологии 3D XPoint, появятся на рынке уже в 2016 году под брендом Intel Optane Technology.